高端半导体光掩膜版量产关键技术

具有建立180 nm技术节点半导体掩膜版量产线相关核心技术；具备130 nm至28 nm半导体掩膜版研发、设计及验证能力。主要研究成果如下：

1） 工艺突破

团队掌握了掩膜版MEMS微纳加工量产核心技术，如电子束光刻、激光光刻和纳米压印光刻等MEMS微纳加工工艺的各类技术参数的搭配和优化，以及大数据量软件快速处理、补偿等。

2） 装备国产化

A. 超高精度二维测量装备

尺寸测量是验证掩膜版技术指标的核心，主要包括关键尺寸测量(CD)和长尺寸测量(TP)。团队已掌握掩膜版的关键测量技术，达到国内先进水平，具有整套设备的整机制造能力。

TP测量是掩膜版制作的核心指标，直接影响到客户的套合精度，该测量设备一直由国外极少数厂商垄断，且价格昂贵，一般在1000万美元以上，高端限制对中国出口。团队目前正在攻克该项技术，已取得阶段性成果。

B. 缺陷修复装备

掩膜版修补技术是提升良品率的关键手段，该技术一直为国外垄断。团队已熟练掌握UV、DUV激光化学沉积技术及皮秒飞秒激光金属处理技术，具备整机制造能力，可降低设备采购成本70%以上。

C. Pellicle自动贴膜装备

随着产品精度的提升和应用领域的高端化，掩膜版贴膜是个不可缺少的重要环节。在IC制造领域100%掩膜版需贴Pellicle，在IC封装领域90%以上需贴膜，在LED领域80%以上需贴膜。该贴膜设备一直国外公司垄断，国内厂家没有提供，国外采购全自动贴膜设备需100万美元左右。团队具备研发制造该设备的能力，贴膜精度±0.1mm,且有设备正式在产线运营，制造成本可节约90%以上。

3） 厂房建设关键技术

团队对MEMS及其掩膜工厂工艺设备厂务设计有丰富经验，掌握高等级防微震厂房结构和设备平台的设计施工，可达到VC-D级技术标准，满足纳米级生产技术要求。

（1）掌握了高性价比掩膜版量产的关键核心技术，包括部分装备的国产化，解决“卡脖子”技术难题，量产线建设成本节约30%以上；

（2）具备28 nm及以下技术节点掩膜版设计开发能力和验证平台，验证周期可缩短3倍；

（3）拥有一支20多年以上掩膜版量产、研发和销售经验的队伍，成熟的企业管理经验，保证企业稳步成长，确保投资风险可控。

1）量产掩膜版技术指标：180 nm线；

     验证掩膜版技术指标：28 nm线；

2）国产化装备主要技术指标如下表：

2021年全球半导体掩膜版市场规模约50亿美元，中国市场约76亿元；据中国半导体协会资料显示，预计2025年中国半导体掩膜版市场规模将达到101亿元，而国产化率10%左右,国产替代空间巨大。

建设一条小规模半导体掩膜版量产产线：可实现年销售收入6000万元，利润1700万元；建设一定规模的半导体掩膜版的量产产线：可实现年销售收入6亿元，利润2.1亿元。